3.3.2 摻雜半導(dǎo)體的載流子濃度

熱平衡條件下,n型半導(dǎo)體中的電子濃度n0應(yīng)為單位體積中施主提供的電子和熱激發(fā)電子數(shù)之和。就半導(dǎo)體光伏技術(shù)所涉及的溫度與摻雜條件而言,前者完全可看作等于施主的體積濃度ND,后者由激發(fā)時(shí)電子與空穴必成對(duì)這一點(diǎn)可知應(yīng)等于 ......（本文共 662 字 , 6 張圖）     [閱讀本文] >>