4.4.1 半導(dǎo)體器件物理基本方程與太陽電池邊界條件

半導(dǎo)體器件內(nèi)部各處電場強度E、電荷密度φ、電子與空穴濃度n和p、電子與空穴電流密度Jn和Jp、電子空穴對的產(chǎn)生率與復(fù)合率G和U之間關(guān)系都遵循一定的物理規(guī)律,體現(xiàn)為這些物理量之間的多個微分方程,其一維形式列寫并扼要注釋如 ......（本文共 822 字 , 2 張圖） [閱讀本文] >>