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非晶硅TFT使用CVD(化學(xué)氣相沉積),簡單理解就是把基板放入密封的反應(yīng)室內(nèi)向其輸入反應(yīng)氣體,通過溫度、等離子體、光(UV)、電場等對(duì)分解氣體在不改變基板特性的情況下進(jìn)行固態(tài)沉積。非晶硅成膜共分為以下4個(gè)階段:(1)自由電子活性 ......(本文共 497 字 , 4 張圖) [閱讀本文] >>