第38問 為何NMOS需要LDD摻雜而PMOS不要

在LTPSTFT工藝中,如使用NMOS結(jié)構(gòu),需要在源漏重?fù)絽^(qū)域與溝道之間增加LDD(LightlyDopedDrain,輕摻雜漏區(qū))結(jié)構(gòu),而PMOS則不需要。究其原因,我們整理了一些內(nèi)容供大家參考。LDD結(jié)構(gòu)是金氧半場效晶體管(MOSFET)為了減弱漏區(qū)電場,以改進(jìn)熱電子退 ......（本文共 506 字 ）     [閱讀本文] >>