碳化硅多孔介質內(nèi)滲硅過程的仿真研究

摘要： 對仿真熔硅在碳化硅多孔預制體內(nèi)的滲流過程進行深入研究，不僅有助于了解反應熔滲過程缺陷的成因，還有助于揭示特殊滲流現(xiàn)象的成因。本文基于水平集法、N-S方程、楊氏方程，在由光學顯微鏡圖像提取重構的二維孔道內(nèi)，進行了熔硅毛細熔滲過程的仿真，重點模擬了由40μm顆粒經(jīng)模壓構成的預制體和基于顆粒級配工藝的預制體內(nèi)的熔滲過程。結果表明：入滲過程中較大的入口有利于熔滲的快速進行，熔滲過程在同... （共14頁）