基于DRIE的太赫茲行波管硅基低損耗慢波結(jié)構(gòu)工藝技術(shù)研究
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁(yè)數(shù): 5 2024-10-25
摘要: 行波管慢波結(jié)構(gòu)的制造通常采用計(jì)算機(jī)數(shù)字化控制精密機(jī)械加工技術(shù)。隨著工作頻率的提升,對(duì)慢波結(jié)構(gòu)特征尺寸精度的要求達(dá)到微納米級(jí),導(dǎo)致加工難度大、周期長(zhǎng),成本高昂,一定程度上限制了技術(shù)的快速發(fā)展。硅基MEMS加工工藝具備優(yōu)秀的三維形貌可控性,尺寸控制精度高,批次一致性較好。本文針對(duì)太赫茲行波管功率源對(duì)雙槽深折疊波導(dǎo)慢波結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求,開(kāi)發(fā)了基于硅基底材料的三維集成工藝制造技術(shù)。采用光... (共5頁(yè))
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