基于相位校準(zhǔn)技術(shù)的寬帶衛(wèi)星通信相控陣接收芯片設(shè)計與實現(xiàn)

摘要： 論述了一種基于SiGe BiCMOS工藝的19 GHz～23 GHz四通道衛(wèi)星通信相控陣接收芯片，該芯片采用有源矢量合成架構(gòu)進行移相器設(shè)計，每個通道由低噪聲放大器、移相器、合路器構(gòu)成，測試結(jié)果表明單通道增益(包含合成損耗)大于25 dB,噪聲系數(shù)小于2.3 dB,增益平坦度小于2 dB,移相精度小于2°,單通道電流小于50 mA。 （共8頁）