氮化鎵基單片功率集成技術(shù)

摘要： 寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)和高飽和電子速度的材料優(yōu)越性，以及鋁鎵氮/氮化鎵（Al GaN/GaN）異質(zhì)結(jié)能通過(guò)極化不連續(xù)性在其界面極化誘導(dǎo)出具有高濃度、高遷移率的二維電子氣并制備出高電子遷移率晶體管，使氮化鎵器件正成為下一代功率和射頻應(yīng)用領(lǐng)域的新型高性能電子器件。氮化鎵基單片功率集成技術(shù)是減小寄生電感影響、提升集成電路開關(guān)速度、降低系統(tǒng)功耗和實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化的關(guān)鍵技術(shù)。該文圍繞氮化鎵... （共13頁(yè)）