硅/硅低溫直接鍵合的工藝調(diào)控及應(yīng)用

摘要： 為了滿足微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)對(duì)高強(qiáng)度、低成本、靈活性好、通用性強(qiáng)硅/硅低溫直接鍵合技術(shù)的迫切需求，開(kāi)展基于氧等離子活化的硅/硅低溫直接鍵合工藝調(diào)控方法及應(yīng)用研究。通過(guò)正交實(shí)驗(yàn)分析了活化功率、活化時(shí)間、氧氣流量對(duì)鍵合率和鍵合強(qiáng)度的影響，優(yōu)化了氧等離子活化工藝，350℃氮?dú)獗Ｗo(hù)下退火2 h后，鍵合率為98.52%,平均抗剪切強(qiáng)度為20.2 MPa,鍵合界面連續(xù)無(wú)空洞，且形成了3.... （共7頁(yè)）