基于28 nm MOSFET集成RNVM的1T1R納米陣列器件可靠性研究

摘要： 針對下一代新型納米電子器件應(yīng)用可靠性，設(shè)計制備了基于28 nm CMOS工藝MOSFET有源集成RNVM的存算一體化1T1R納米陣列器件，測試評價了其在開關(guān)比(10~(7-8))、操作電壓(±1 V)、存儲窗口等方面的綜合電學(xué)性能，并設(shè)計實(shí)施了專門的可靠性試驗(yàn)。結(jié)果表明1T1R納米陣列器件存在MOSFET I_(on)、I_(leak)應(yīng)力退化-44.90%、751.64%以及... （共8頁）