一種連續(xù)函數(shù)描述的高精度SiC MOSFET模型

摘要： 傳統(tǒng)SiC MOSFET模型為提高精度，通常采用分段函數(shù)對(duì)不同工作區(qū)進(jìn)行建模，但這帶來(lái)了模型收斂性不足的問(wèn)題，難以應(yīng)用于高頻仿真電路。該文提出一種連續(xù)函數(shù)描述的、具有高精度和強(qiáng)收斂性的SiC MOSFET數(shù)學(xué)模型。構(gòu)建單一連續(xù)函數(shù)描述SiC MOSFET在線性區(qū)和恒流區(qū)內(nèi)的靜態(tài)特性；提出帶有收斂電阻的非線性電容模型，并針對(duì)不同寄生電容構(gòu)造相應(yīng)的擬合函數(shù)進(jìn)行建模；此外，體二極管的... （共13頁(yè)）