3D封裝中硅通孔的電–熱–結(jié)構(gòu)耦合分析

摘要： 本文利用有限元分析軟件對3D集成芯片中不同形狀的硅通孔(TSV)結(jié)構(gòu)進(jìn)行電–熱–結(jié)構(gòu)耦合分析。研究結(jié)果表明：圓環(huán)形TSV的應(yīng)力水平遠(yuǎn)小于圓柱形和圓錐形TSV。在相同激勵電壓下，減小TSV直徑、增大TSV高度、減小SiO2厚度均可提高TSV的可靠性。對圓環(huán)形TSV進(jìn)行正交實(shí)驗發(fā)現(xiàn)，TSV的直徑和中間介質(zhì)對最高溫度、最大應(yīng)力影響程度較大。在單層TSV陣列中，當(dāng)中心間距較小時，圓環(huán)形... （共9頁）