負(fù)柵極偏置下的SiC MOSFET柵氧老化狀態(tài)監(jiān)測

摘要： 隨著SiC MOSFET的大量應(yīng)用,其柵氧可靠性成為了備受關(guān)注的熱點問題。然而現(xiàn)有研究主要關(guān)注正應(yīng)力條件下的老化,對負(fù)應(yīng)力引起的柵氧老化缺乏研究。首先,介紹了SiC MOSFET柵氧老化機理并分析監(jiān)測參數(shù)的影響。然后,建立SiC MOSFET開通過程的高頻振蕩等效模型,并分析柵氧老化對監(jiān)測參數(shù),即柵極開通振蕩電流峰值的影響。最后通過雙脈沖實驗和Buck電路研究了負(fù)柵極偏置下的開... （共4頁）