柔性氧化物薄膜晶體管柵絕緣層的研究進展

摘要： 柔性氧化物薄膜晶體管(Thin-film transistor, TFT)因具有遷移率高、電流開關(guān)比大、器件均一性好、柔韌性好和輕薄等優(yōu)點而備受業(yè)界關(guān)注，廣泛應用于柔性有機發(fā)光二極管(OLED)顯示、柔性傳感、仿生突觸等領(lǐng)域。其中，柵絕緣層對柔性氧化物TFT的性能至關(guān)重要，它不僅影響著器件的基本電學性能，對器件的偏壓、光照穩(wěn)定性也有著明顯的影響。因此，柵絕緣層材料及其制備工藝是... （共9頁）

柔性 薄膜晶體管 柵絕緣層 高介電常數(shù)