GaN HEMT功率器件及輻射效應研究進展

摘要： 闡述了氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)在電力電子和衛(wèi)星通信領域的應用優(yōu)勢，并從材料生長、器件結構和性能提升的角度梳理了近年國內外的發(fā)展現狀。針對GaN HEMT功率器件在復雜空間環(huán)境下面臨的輻射損傷問題，重點歸納了γ射線輻射、中子輻射、質子輻射及重離子輻射引起GaN HEMT功率器件電學性能的退化規(guī)律，并總結了GaN HEMT功率器件在這些粒子輻射下產生的總劑量效應... （共12頁）