基于生死單元技術(shù)的IGBT芯片焊料層失效演化機(jī)理

摘要： 封裝疲勞失效是導(dǎo)致絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊故障頻發(fā)的重要因素，嚴(yán)重影響電力電子變流器可靠運(yùn)行。焊料層退化演化過(guò)程復(fù)雜，亟需通過(guò)準(zhǔn)確的模擬方法以明晰其失效機(jī)理。為此，提出了一種考慮累積損傷的IGBT芯片焊料層空洞退化演化方法。該方法基于生死單元技術(shù)的思路，通過(guò)協(xié)同仿真技術(shù)模擬芯片焊料層疲勞退化的演化過(guò)程，進(jìn)一步評(píng)估焊料層的失效程度并預(yù)測(cè)模塊的壽命。搭建功率循環(huán)測(cè)試平臺(tái)驗(yàn)... （共9頁(yè)）