SiC MOSFET關鍵動態(tài)參數(shù)測試技術研究及特性分析

摘要： SiC MOSFET開關速度快導致其對測試平臺的寄生參數(shù)較為敏感，而高電壓和大電流的特性也為測試平臺設計帶來挑戰(zhàn)。自主設計和搭建了一套集成化和規(guī)范化的大功率雙脈沖測試平臺，利用疊層母排結(jié)構的低雜感集成化設計，減小器件過快的開關速度對主回路寄生電感的影響；通過驅(qū)動過欠壓保護電路設計，減小大電流密度的影響，保證器件可靠開通和關斷。為驗證該測試平臺的實用性，選取幾種國內(nèi)外不同廠家的S... （共14頁）