高摻鈧AlN壓電薄膜HBAR器件及工藝研究
傳感器與微系統(tǒng)
頁(yè)數(shù)： 4 2025-01-07
摘要： 本文研究了高摻鈧氮化鋁(Al_xSc_(1-x)N)壓電薄膜高次諧波體聲波諧振器(HBAR)的設(shè)計(jì)仿真與關(guān)鍵制備工藝。仿真研究了鈧摻雜對(duì)壓電材料和HBAR器件性能影響，研究表明：30%鈧組分的Al_(0.7)Sc_(0.3)N薄膜能夠提升諧振器近5倍的有效機(jī)電耦合系數(shù)(k_(eff)~2)。研究了電感耦合等離子體刻蝕(ICP)刻蝕工藝對(duì)Mo電極斜坡角度的影響，通過(guò)調(diào)控工藝參數(shù)可... （共4頁(yè)）
開(kāi)通會(huì)員，享受整站包年服務(wù)
APP