質(zhì)子輻照嬗變摻雜制備p型氧化鎵的仿真研究

摘要： 超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵是當(dāng)前半導(dǎo)體領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)材料，但采用常規(guī)的摻雜工藝尚未在大塊晶體上實(shí)現(xiàn)其p型摻雜，這阻礙了其應(yīng)用。質(zhì)子輻照嬗變摻雜是利用高能質(zhì)子與靶材料核反應(yīng)所產(chǎn)生的嬗變產(chǎn)物實(shí)現(xiàn)摻雜的方法。多種嬗變產(chǎn)物具有不同的摻雜效果，有望通過多種摻雜元素的庫侖耦合效應(yīng)實(shí)現(xiàn)氧化鎵的p型摻雜。本文利用帶電粒子反應(yīng)的蒙特卡羅軟件FLUKA對100 MeV質(zhì)子輻照氧化鎵嬗變摻雜開展仿真分析。... （共10頁）