增強(qiáng)型GaN HEMT器件5 MeV質(zhì)子輻照試驗(yàn)研究

摘要： 氮化鎵器件憑借優(yōu)異的性能在抗輻照應(yīng)用領(lǐng)域備受關(guān)注，為探究不同結(jié)構(gòu)的氮化鎵器件抗質(zhì)子輻照能力，開展了對(duì)增強(qiáng)型Cascode級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)和P-GaN柵結(jié)構(gòu)GaN高電子遷移率晶體管（High Electron Mobility Transistor,HEMT）器件的5 MeV質(zhì)子輻照試驗(yàn)，分析器件電學(xué)特性退化規(guī)律，并明確其質(zhì)子輻照效應(yīng)損傷機(jī)制。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，質(zhì)子輻照注量越大，Cascode結(jié)... （共8頁）