健那綠B平整劑對(duì)芯片互連鈷的電沉積成核機(jī)理研究

摘要： 目的 探究了鈷互連金屬電子電鍍工藝中的電鍍成核機(jī)理，使用健那綠B(Janus Green B,JGB)對(duì)鈷的電沉積進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，并研究了JGB在改善電鍍質(zhì)量過(guò)程中的作用機(jī)理。方法 采用電化學(xué)測(cè)試方法包括循環(huán)伏安、電流瞬態(tài)曲線，以及表征方法包括掃描電子顯微鏡（SEM）以及X射線衍射光譜（XRD），對(duì)鈷在阻擋層Ti N上的電子電鍍機(jī)理以及JGB作用下的成核特點(diǎn)及晶體特性等進(jìn)行研究... （共10頁(yè)）