高溫高應(yīng)變下Cu/Ta界面擴散行為的分子動力學模擬

摘要： 采用銅互連的三維集成技術(shù)是提高微電子器件性能的一種很有前景的方法。然而,由于銅易擴散到硅電子器件中,導(dǎo)致其性能降低甚至失效,而鉭(Ta)憑借穩(wěn)定的化學性能常被作為阻擋層應(yīng)用在工程中。為探究Cu/Ta體系的擴散行為,采用分子動力學方法,分別研究了溫度和應(yīng)變耦合作用下對Cu/Ta體系擴散的影響,通過對單晶結(jié)構(gòu)和多晶結(jié)構(gòu)的分析,厘清了兩者擴散機理。在溫度作用下,經(jīng)過10ns的保溫,僅... （共10頁）