2.1.3 晶閘管性能提升

(1) 關(guān)鍵技術(shù)的突破。1)特高壓電力半導(dǎo)體器件電壓片厚比極大化設(shè)計理念,使晶閘管達(dá)到最高阻斷電壓。按常規(guī)理念,要使晶閘管達(dá)到一個極高的阻斷電壓(8500V),需要增加硅單晶的厚度。而器件物理原理表明,增加硅片厚度僅有利于獲取 ......（本文共 2215 字 , 3 張圖）     [閱讀本文] >>