1.2.5 絕緣柵雙極晶體管

絕緣柵雙極晶體管(Insulated-GateBipolarTransistor,IGBT)是一種場(chǎng)控復(fù)合器件,由MOSFET器件發(fā)展而來(lái),其將高阻抗和小功率門極輸入結(jié)合起來(lái),具有較高的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通損耗。IGBT的工作特性與雙極晶體管類似,但卻有著與晶閘管類似的雙 ......（本文共 642 字 , 1 張圖）     [閱讀本文] >>